2SC943
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.59€ | 3.19€ |
| 5 - 9 | 2.46€ | 3.03€ |
| 10 - 24 | 2.33€ | 2.87€ |
| 25 - 49 | 2.20€ | 2.71€ |
| 50 - 99 | 2.15€ | 2.64€ |
| 100 - 249 | 2.10€ | 2.58€ |
| 250+ | 2.00€ | 2.46€ |
| Quantidade | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.59€ | 3.19€ |
| 5 - 9 | 2.46€ | 3.03€ |
| 10 - 24 | 2.33€ | 2.87€ |
| 25 - 49 | 2.20€ | 2.71€ |
| 50 - 99 | 2.15€ | 2.64€ |
| 100 - 249 | 2.10€ | 2.58€ |
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2SC943. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 220 MHz. Corrente do coletor: 0.2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade em estoque atualizada em 14/01/2025, 23:25.
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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 500. Ganho mínimo de hFE: 240. Corrente do coletor: 0.1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 500. Ganho mínimo de hFE: 240. Corrente do coletor: 0.1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V
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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 232. Ga...
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 232. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 0.2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+125°C. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Diodo CE: sim
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 232. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 0.2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+125°C. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Diodo CE: sim
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