Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V - BC182B

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V - BC182B
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Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V - BC182B. Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 500. Ganho mínimo de hFE: 240. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V. Quantidade em estoque atualizada em 19/04/2025, 20:25.

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BC546B

BC546B

Transistor NPN, TO-92, 0.1A, TO-92, 65V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 0.1A. Habitação (co...
BC546B
Transistor NPN, TO-92, 0.1A, TO-92, 65V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 0.1A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. RoHS: sim. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-92. Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 450. Ganho mínimo de hFE: 200. Ic(pulso): 0.2A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) BC556B. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, TO-92, 0.1A, TO-92, 65V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 0.1A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. RoHS: sim. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-92. Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 450. Ganho mínimo de hFE: 200. Ic(pulso): 0.2A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) BC556B. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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2N3904

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2N3904
Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 40V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. C (pol.): 8pF. Custo): 4pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: Transistor de comutação. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Construção de matriz planar epitaxial . Tf(máx.): 75 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. C (pol.): 50pF. Custo): 7pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. C (pol.): 50pF. Custo): 7pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 65V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 220. Ganho mínimo de hFE: 90. Ic(pulso): 0.2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) BC556A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 65V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 220. Ganho mínimo de hFE: 90. Ic(pulso): 0.2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) BC556A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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