Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BC182B

BC182B
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BC182B. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 500. Ganho mínimo de hFE: 240. Corrente do coletor: 0.1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 12:25.

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BC546B

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RoHS: sim. Carcaça: TO-92. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-92. Custo): 6pF...
BC546B
RoHS: sim. Carcaça: TO-92. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-92. Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 450. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 0.1A. Ic(pulso): 0.2A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.09V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) BC556B. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
BC546B
RoHS: sim. Carcaça: TO-92. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-92. Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 450. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 0.1A. Ic(pulso): 0.2A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.09V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) BC556B. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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2N3904

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C (pol.): 8pF. Custo): 4pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicon...
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C (pol.): 8pF. Custo): 4pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: Transistor de comutação. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Construção de matriz planar epitaxial . Tf(máx.): 75 ns. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 5V. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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C (pol.): 50pF. Custo): 7pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 ...
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Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 220. Ganho mínimo de hFE: 90. Corrente do coletor: 0.1A. Ic(pulso): 0.2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.09V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) BC556A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 220. Ganho mínimo de hFE: 90. Corrente do coletor: 0.1A. Ic(pulso): 0.2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.09V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) BC556A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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