Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

2SD1206

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2SD1206. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Spec info: substituir. Quantidade em estoque atualizada em 14/01/2025, 23:25.

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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 0.1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Spec info: transistor complementar (par) BC558B
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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 0.1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Spec info: transistor complementar (par) BC558B
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