Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

BAT86S

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BAT86S. Cj: 8pF. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 10000. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Material semicondutor: Sb. Função: Trocando diodo Schottky. Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. RM (máx.): 5uA. Marcação na caixa: BTA86S. Número de terminais: 2. Temperatura: +125°C. Dimensões: 3.9x1.6mm. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Tensão limite Vf (máx.): 900mV. Tensão direta Vf (min): 300mV. VRRM: 50V. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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BAT86-133

BAT86-133

Cj: 8pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Ma...
BAT86-133
Cj: 8pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky. Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Nota: Trocando diodo Schottky. RM (máx.): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-34 ( SOD68 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-34 ( 1.6x3.04 ). Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 900mV. Tensão direta Vf (min): 300mV. VRRM: 50V. Spec info: IFSM--5Ap t=10ms
BAT86-133
Cj: 8pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: Sb. Função: Diodo Schottky. Corrente direta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Nota: Trocando diodo Schottky. RM (máx.): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-34 ( SOD68 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-34 ( 1.6x3.04 ). Temperatura operacional: -65...+125°C. Tensão limite Vf (máx.): 900mV. Tensão direta Vf (min): 300mV. VRRM: 50V. Spec info: IFSM--5Ap t=10ms
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