Transistores

Custo): 200pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: HI-FI. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 15A. Marcação na caixa: C5242. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1A. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1962 . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho máximo de hFE: 12:1. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo mesa de difusão tripla . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.12us. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TOP-3L. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1700V. Vebo: 6V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Display-HA. Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Spec info: MONITOR. Diodo CE: sim

Resistor BE: 43 Ohms. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 0.1 ns. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PML. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 6V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PML. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Para deflexão horizontal de alta resolução. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PML. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Spec info: Display-HA MONITOR. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 20A. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Spec info: 8.729.033.99. Diodo CE: sim

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Ultrahigh-Definition CRT Display. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 4. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 35A. Marcação na caixa: C5302. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PML. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: velocidade rápida (tf = 100ns tipo). Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D35/B. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.1W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1987. Diodo CE: sim

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 150mA. Ic(pulso): 400mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92S. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA608. Diodo CE: sim

Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1.7 MHz. Função: High Switching, Horizontal Deflection out. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 4.3. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: C5386. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: VCE(sat) 3V max. Corrente do coletor: 10A. Nota: Tipo MESA Tripla Difusão . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Spec info: MONITOR, Hi-res (F)

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 64kHz. Função: Monitor HA,hi-res, fH--64KHz. Corrente do coletor: 14A. Ic(pulso): 28A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Spec info: VCE(sat) max. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 190pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: HA, Hi-res. Corrente do coletor: 14A. Ic(pulso): 28A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 0.15us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3FP. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: fH--64KHz. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 64kHz. Função: CTV/Monitor Horizntal Deflection Output. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PFM. Tipo de transistor: NPN. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Spec info: Silicon NPN Triple Diffused. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Saída de deflexão horizontal. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: C5449. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Carcaça: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PFM. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Vebo: 6V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 7GHz. Função: VHF/UHF. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 90. Corrente do coletor: 70mA. Marcação na caixa: LN. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.1W. Habitação (conforme ficha técnica): SSFP 1.4x0.8x0.6mm. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 10V. Spec info: serigrafia/código SMD LN

Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho máximo de hFE: 12:1. Ganho mínimo de hFE: 6. Corrente do coletor: 17A. Ic(pulso): 30A. Marcação na caixa: C5583. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TOP-3L. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Função: Samsung Monitor 19 inch. Spec info: Tipo mesa de difusão tripla

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hi-res, monitor 19. Corrente do coletor: 15A. Nota: hFE 22...45 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Spec info: Triple diffusion mesa tipe

Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 11. Ganho mínimo de hFE: 3. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 36A. Marcação na caixa: C5696. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.3us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PMLH. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 5V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Resistor BE: sim. Diodo CE: sim

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: 7. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: C5698. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PMLH. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 5V. Função: alta velocidade, CTV-HA. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-251. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 7.5A. Frequência de corte ft [MHz]: 400 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 15W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 400 MHz. Função: conversor DC-DC, fonte de alimentação TFT . Ganho máximo de hFE: 560. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 7.5A. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf(máx.): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.135V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA2039

Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 100dB. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 330 MHz. Função: conversor DC-DC, fonte de alimentação TFT . Ganho máximo de hFE: 560. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 11A. Marcação na caixa: C5707. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.11V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA2040. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS