Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SC5706FA

2SC5706FA
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1 - 4 2.01€ 2.47€
5 - 9 1.91€ 2.35€
10 - 24 1.81€ 2.23€
25 - 49 1.71€ 2.10€
50 - 99 1.67€ 2.05€
100 - 249 1.48€ 1.82€
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2SC5706FA. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 400 MHz. Função: conversor DC-DC, fonte de alimentação TFT . Ganho máximo de hFE: 560. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 7.5A. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf(máx.): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.135V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA2039. Quantidade em estoque atualizada em 14/01/2025, 10:25.

Documentação técnica

Produtos equivalentes :

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2SC5707FA

2SC5707FA

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 330 MHz. Função: conversor DC-DC, fo...
2SC5707FA
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 330 MHz. Função: conversor DC-DC, fonte de alimentação TFT . Ganho máximo de hFE: 560. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 11A. Marcação na caixa: C5707T. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de Silício Planar Epitaxial . Tf(máx.): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.11V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA2040FA
2SC5707FA
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 330 MHz. Função: conversor DC-DC, fonte de alimentação TFT . Ganho máximo de hFE: 560. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 11A. Marcação na caixa: C5707T. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de Silício Planar Epitaxial . Tf(máx.): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.11V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA2040FA
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