Transistores

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: MONITOR. Corrente do coletor: 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V

Quantidade por caixa: 1. Compatibilidade: CVM4967A. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Display-HA, Hi-res. Ganho máximo de hFE: 25. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 16A. Equivalentes: SAMSUNG 891 464744AA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.4us. Carcaça: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PFM. Tipo de transistor: NPN. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Vebo: 6V. Spec info: MONITOR

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Display-HA. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Spec info: MONITOR. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Alta resolução . Corrente do coletor: 7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Spec info: Monitor VGA

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3FP. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 3. Corrente do coletor: 7A. Ic(pulso): 16A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf (tipo): 0.1us. Carcaça: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Habitação (conforme ficha técnica): TO3PML. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 20pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): 2-10R1A. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1837. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V

Custo): 220pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Alta resolução . Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Spec info: MONITOR

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Alta resolução . Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PFM. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Spec info: MONITOR. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Display-HA. Corrente do coletor: 7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Spec info: MONITOR (F). Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo CE: sim

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Display-HA. Corrente do coletor: 7A. Nota: MONITOR. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Vce(sat) 3V. Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Nota: Monitor HA (F). Spec info: VEBO 5V. Diodo CE: sim

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Ganho máximo de hFE: 270. Ganho mínimo de hFE: 120. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 10A. Marcação na caixa: C5103. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf(máx.): 0.3 ns. Tf(min): 0.1 ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): CPT3 ( DPAK ) ( TO252 ) ( SOT428 ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Função: Driver de motor, driver de LED. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1952

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1.7 MHz. Função: MONITOR HA,Hi-res. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: C5129. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Habitação (conforme ficha técnica): 2-16E3A. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: tempo de queda 0,15..03us (64kHz). Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo CE: sim

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 10A. Nota: MONITOR. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Função: HA, Hi-res. Diodo CE: sim

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1.7 MHz. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 20A. Ic(pulso): 40A. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264 ( 2-21F2A ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Spec info: Monitor -HA

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Habitação (conforme ficha técnica): 2-16E3A. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Vebo: 5V. Função: Horizontal Deflection Output, high speed Switch. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: operação rápida, para deflexão horizontal (TV). Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: C5149. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.5us. Tf(min): 0.2us. Habitação (conforme ficha técnica): 2-16E3A. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Spec info: Tipo MESA Tripla Difusão . Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: VCE(sat) 3V max. Corrente do coletor: 10A. Nota: MONITOR, HA,Hi-res, fT--2MHz. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Spec info: TO-3P (Plastic). Diodo CE: sim

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 2A. Marcação na caixa: C5171. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial . Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.16V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1930 . Função: TV, SL. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: HI-FI. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1940

Custo): 170pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Amplificador de potência HI-FI. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 80. Corrente do coletor: 10A. Marcação na caixa: C5198 O. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16C1B. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1941. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 200pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Amplificador de potência HI-FI. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 80. Corrente do coletor: 15A. Marcação na caixa: C5200 (Q). Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1943. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Função: Amplificador de potência HI-FI. Tensão coletor-emissor VCEO: 230V. Corrente do coletor: 15A. Frequência máxima: 30MHz. Potência: 150W. Carcaça: TO-264