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Transistor NPN, 12A, 600V - 2SC5048

Transistor NPN, 12A, 600V - 2SC5048
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Transistor NPN, 12A, 600V - 2SC5048. Transistor NPN, 12A, 600V. Corrente do coletor: 12A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Vce(sat) 3V. Nota: Monitor HA (F). Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Spec info: VEBO 5V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Produto original do fabricante Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 11:25.

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Transistor NPN, 12A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 700V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PFM. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Saída de deflexão horizontal. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: C5449. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Spec info: Comutação de alta velocidade. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 6V
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Transistor NPN, 12A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 700V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PFM. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Saída de deflexão horizontal. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: C5449. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Spec info: Comutação de alta velocidade. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 6V
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