Transistores

Material semicondutor: silício. FT: 400 MHz. Função: Hi-def. Corrente do coletor: 0.2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1476

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V/20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

C (pol.): 4pF. Custo): 10pF. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 550V. Quantidade por caixa: 1

Resistor B: 22. Resistor BE: 22. Material semicondutor: silício. FT: 260 MHz. Corrente do coletor: 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126LP. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Função: hFE 800. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Hi-Ube, lo-sat.

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-98. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/30V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.1W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-98. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Resistor B: 47. Resistor BE: 10. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: TV-ZF-E. Corrente do coletor: 0.05A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 75V. Quantidade por caixa: 1

Custo): 50pF. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Ganho mínimo de hFE: 500. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): MF20 TO220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. Função: Driver para solenóide e motor. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Corrente do coletor: 15A. Marcação na caixa: C3856. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PB. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1492

Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: MONITOR

Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: MONITOR

Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 8A. Marcação na caixa: C3886A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: MONITOR. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Material semicondutor: silício. FT: 450 MHz. Função: TV/IF. Corrente do coletor: 0.02A. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. Função: HA, Hi-res. Corrente do coletor: 7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Rbe 60 Ohms. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Material semicondutor: silício. Função: HA, Hi-res. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: MONITOR

Material semicondutor: silício. Função: HA, Hi-res. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: MONITOR

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M31/J. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 180V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 12A. Dissipação máxima Ptot [W]: 130W

Material semicondutor: silício. Função: HA hi-def.. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: MONITOR

Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Função: Aplicações de driver de alta tensão. Corrente do coletor: 0.2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: hFE 100...200

Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 600V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Função: S-L. Spec info: 500/2200ns

Material semicondutor: silício. Função: UHF. Corrente do coletor: 0.065A. Potência: 200mW. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 10V. Vebo: 1.5V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 9000MHZ. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Corrente do coletor: 7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 2SD4106M

Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: Velocidade de comutação rápida. Ganho máximo de hFE: 50. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: C4107. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Conversor de tensão CC/CC. Ganho máximo de hFE: 220. Ganho mínimo de hFE: 70. Corrente do coletor: 7A. Ic(pulso): 14A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: COB--110pF (VCB=10V, f=1MHzC)