Transistores

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D8A/C. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/19V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D6/C. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 150mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V/50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 150mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: TV-NF/E. Corrente do coletor: 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1249. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 3A. Ic(pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.7us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 7V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: S-L. Corrente do coletor: 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2SC3157. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1265

Material semicondutor: silício. FT: 550 MHz. Corrente do coletor: 0.02A. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 660 MHz. Função: TV-ZF. Corrente do coletor: 0.05A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 0.15A. Marcação na caixa: C3198. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistor B: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-92. Custo): 3.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 700. Ganho mínimo de hFE: 70. Corrente do coletor: 150mA. Temperatura: +125°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Spec info: substituição KTA1267. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Hi-Beta, lo-sat.. Ganho mínimo de hFE: 500. Corrente do coletor: 2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial . Tf(máx.): 1.2us. Tf(min): 1us. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 7V. Número de terminais: 3. Nota: 9mm. Quantidade por caixa: 1

Custo): 250pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1294. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Corrente do coletor: 17A. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1295

Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Corrente do coletor: 17A. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: com este caso apenas enquanto durarem os estoques!

Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: NF-E HI-FI. Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1301

Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: NF-E HI-FI. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1302. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Corrente do coletor: 14A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1303

Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: transistor de pacote isolado . Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 70. Corrente do coletor: 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Carcaça: TO-220FP. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 5V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1306

Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 70. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 8A. Marcação na caixa: C3303. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Tf(máx.): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 7V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 8A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 8V. Quantidade por caixa: 1. Função: NF/SL. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: Aplicações de comutação de alta tensão . Corrente do coletor: 0.7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.7W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. Nota: hFE 140...280. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1319

Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 500V. Quantidade por caixa: 1