2SC3303

2SC3303. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 70. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 8A. Marcação na caixa: C3303. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Tf(máx.): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 7V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 09:25.