Transistores

Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Função: CSC2342. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: altura 5mm

Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 600. Ganho mínimo de hFE: 70. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 5A. Marcação na caixa: C2500. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício epitaxial NPN. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 90V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 200V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 17A. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W

Material semicondutor: silício. Função: S-L. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO3P ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 450V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D17/C. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 150V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.75W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D8/C. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D6/C. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/30V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.1W

Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. Função: hFE 100...200. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 19pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 155 MHz. Função: HF. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 160. Corrente do coletor: 1.2A. Ic(pulso): 2.5A. Marcação na caixa: C2690A Y. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1220A . Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 1.8pF. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 80. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 800mA. Marcação na caixa: C2705. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Nota: 9mm. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1145. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 700. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 0.1A. Marcação na caixa: DG. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 300mV. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD DG. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1163. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SOT-103. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V/20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-236. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 180V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Para silenciar e mudar. Ganho máximo de hFE: 1200. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 300mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 400mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 130 ns. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.042V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Vebo: 25V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Silicon NPN Epitaxial Type

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 180V/160V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 70mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2SC2910. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 180V/160V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 70mA. Frequência de corte ft [MHz]: 400. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.08V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 70mA. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): 140mA. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1208

Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Velocidade de comutação rápida. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 0.14A. Ic(pulso): 0.2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1209. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V/50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 150mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Corrente do coletor: 7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D18/C. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V/100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 1W

Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: Comutação de alta corrente. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 70. Corrente do coletor: 5A. Marcação na caixa: C3074. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process). Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. Número de terminais: 2. Nota: para alternar aplicativos. Quantidade por caixa: 1. Nota: transistor complementar (par) 2SA1244. Spec info: Lo-sat--Vce(sat)--0.2V