Transistores

Material semicondutor: silício. Função: UHF. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V/50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V/50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 0.1A. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. Função: 250 MHz. Corrente do coletor: 0.1A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 0.05A. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1360

Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Função: hFE 15...30. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Função: hFE 20...40. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.3us. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 7V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Custo): 1.7pF. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 0.1A. Ic(pulso): 0.2A. Marcação na caixa: C3467. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): SC-51 ( MP ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: 9mm de altura. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Função: Video, Hi-def. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V/100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

Custo): 2.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 0.1A. Ic(pulso): 0.2A. Marcação na caixa: C3503-D. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 7W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Amplificador de tensão de áudio, definição CRT, saída de vídeo. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1381. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 250pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Carcaça: TO-3P ( TO3P ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. Vebo: 5V. Função: para amplificadores de áudio Hi-Fi. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial NPN. Habitação (conforme ficha técnica): TO3P-3L. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1386A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 250MHz. Função: Hi-beta. Ganho máximo de hFE: 3200. Ganho mínimo de hFE: 800. Corrente do coletor: 700mA. Ic(pulso): 1A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): SC-43B, TO92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 25V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.14V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Vebo: 15V. Quantidade por caixa: 1

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M31/J. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 1500V/800V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W

Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Hi-deflect (MONITOR)

Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Hi-deflect (MONITOR)

Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: Aplicações de drives de baixa frequência. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Nota: hFE 140...280. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1480

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-98. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/18V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-98. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 35V/30V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-98. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 35V/30V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Função: S-L. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Quantidade por caixa: 1

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V/16V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W