2SC3460

2SC3460. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 6A. Ic(pulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.3us. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 7V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 12:25.