Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

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2SC3519A

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Conjunto de 1

2SC3519A. Custo): 250pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Carcaça: TO-3P ( TO3P ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. Vebo: 5V. Função: para amplificadores de áudio Hi-Fi. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial NPN. Habitação (conforme ficha técnica): TO3P-3L. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1386A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 12:25.

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