Transistores

Material semicondutor: silício. FT: 270 MHz. Corrente do coletor: 0.7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Função: hFE1 1500, hFE2 600 . Quantidade por caixa: 1. Spec info: Lo-Sat Vce(sat)<0.5V

RoHS: sim. Família de componentes: transistor bipolar NPN duplo. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SMV-5. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 5. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 0.15A. Frequência de corte ft [MHz]: 80 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W

Material semicondutor: silício. FT: 8 MHz. Função: (F). Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 7V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 8 MHz. Função: Transistor de potência de comutação. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Série HFX

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: S-L. Corrente do coletor: 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1633. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Amplificador de banda larga VHF. Corrente do coletor: 0.3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v

Custo): 35pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: Transistor NPN de alta tensão para aplicações de áudio e de uso geral.. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): FM20 (TO220F). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 200V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1668. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: transistor de pacote isolado . Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1671

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: transistor de pacote isolado . Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1672

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: transistor de pacote isolado . Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1673

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: SMPS. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PML. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Função: NF/L. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1695

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Função: NF/L. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1695

Custo): 30pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Função: High hFE, LOW Vce(sat). Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Tecnologia: Transistor planar difuso triplo NPN. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): FM20 (TO220F). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 6 MHz. Função: Transistor de comutação de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 3A. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 550V. Vebo: 7V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: (F). Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Alta resolução . Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Spec info: MONITOR

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D35/B. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Custo): 14pF. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 2500. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 1.5A. Ic(pulso): 2.5A. Marcação na caixa: 12.9k Ohms. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 80 ns. Tf(min): 80 ns. Carcaça: SC-71. Habitação (conforme ficha técnica): SC-71. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.13V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1770. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 10mA. Nota: Ic 10mA/30mApp. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Função: foco dinâmico, comutação de alta tensão. Spec info: TO-220FI (Forming)

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 10mA. Nota: Ic 10mA/30mApp. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 2000V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1800V. Função: foco dinâmico. Spec info: TO-220FI

Custo): 25pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 210 MHz. Função: Io-sat. Ganho máximo de hFE: 270. Ganho mínimo de hFE: 120. Corrente do coletor: 2A. Nota: serigrafia/código SMD DK. Marcação na caixa: DK. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-89. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.13V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.35V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1797. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 5.5 MHz. Função: Aplicativos de foco dinâmico para TV. Corrente do coletor: 50mA. Nota: Aplicações de comutação de alta tensão . Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Spec info: TO-220F

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: HI-FI NF-E. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 55W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Nota: (F). Spec info: transistor complementar (par) 2SA1803