Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 15A, 160V - 2SC4388

Transistor NPN, 15A, 160V - 2SC4388
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Transistor NPN, 15A, 160V - 2SC4388. Transistor NPN, 15A, 160V. Corrente do coletor: 15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: transistor de pacote isolado . Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1673. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 00:25.

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Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 230V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Custo): 250pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 40. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1294. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO–3PBL. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJL21193 . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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