Transistor NPN MJL21194, TO-264 ( TOP-3L ), 16A, TO–3PBL, 250V

Transistor NPN MJL21194, TO-264 ( TOP-3L ), 16A, TO–3PBL, 250V

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Transistor NPN MJL21194, TO-264 ( TOP-3L ), 16A, TO–3PBL, 250V. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Corrente do coletor: 16A. Habitação (conforme ficha técnica): TO–3PBL. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. BE diodo: não. Condicionamento: tubus. Corrente do coletor Ic [A]: 16A. Custo): 6pF. Diodo CE: não. FT: 4 MHz. Função: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 30A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Polaridade: bipolar. Potência: 200W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJL21193. Tecnologia: Base Epitaxial. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão (colecionador - emissor): 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 18:37

Documentação técnica (PDF)
MJL21194
31 parâmetros
Carcaça
TO-264 ( TOP-3L )
Corrente do coletor
16A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO–3PBL
Tensão do coletor/emissor Vceo
250V
BE diodo
não
Condicionamento
tubus
Corrente do coletor Ic [A]
16A
Custo)
6pF
Diodo CE
não
FT
4 MHz
Função
hFE=25 Min @ IC=8Adc
Ganho máximo de hFE
75
Ganho mínimo de hFE
25
Ic(pulso)
30A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
200W
Polaridade
bipolar
Potência
200W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
transistor complementar (par) MJL21193
Tecnologia
Base Epitaxial
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão (colecionador - emissor)
250V
Tensão de saturação VCE(sat)
1.4V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
400V
Vebo
5V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor

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