Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SC4204

2SC4204
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25 - 49 0.29€ 0.36€
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2SC4204. Material semicondutor: silício. FT: 270 MHz. Corrente do coletor: 0.7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Função: hFE1 1500, hFE2 600 . Quantidade por caixa: 1. Spec info: Lo-Sat Vce(sat)<0.5V. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 17:25.

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Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Hi-Beta, lo-sat.. Ganho mínimo de hFE: 500. Corrente do coletor: 2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial . Tf(máx.): 1.2us. Tf(min): 1us. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 7V. Número de terminais: 3. Nota: 9mm. Quantidade por caixa: 1
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Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Hi-Beta, lo-sat.. Ganho mínimo de hFE: 500. Corrente do coletor: 2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial . Tf(máx.): 1.2us. Tf(min): 1us. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 7V. Número de terminais: 3. Nota: 9mm. Quantidade por caixa: 1
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Material semicondutor: silício. FT: 250MHz. Função: Hi-beta. Ganho máximo de hFE: 3200. Ganho mínimo de hFE: 800. Corrente do coletor: 700mA. Ic(pulso): 1A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): SC-43B, TO92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 25V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.14V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Vebo: 15V. Quantidade por caixa: 1
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Material semicondutor: silício. FT: 250MHz. Função: Hi-beta. Ganho máximo de hFE: 3200. Ganho mínimo de hFE: 800. Corrente do coletor: 700mA. Ic(pulso): 1A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): SC-43B, TO92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 25V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.14V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Vebo: 15V. Quantidade por caixa: 1
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