2SC3225

2SC3225. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Hi-Beta, lo-sat.. Ganho mínimo de hFE: 500. Corrente do coletor: 2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial . Tf(máx.): 1.2us. Tf(min): 1us. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 7V. Número de terminais: 3. Nota: 9mm. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.