2SC2713-GR

2SC2713-GR. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 700. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 0.1A. Marcação na caixa: DG. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 300mV. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD DG. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1163. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.