2SC2632
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.65€ | 0.80€ |
| 5 - 9 | 0.62€ | 0.76€ |
| 10 - 24 | 0.59€ | 0.73€ |
| 25 - 49 | 0.56€ | 0.69€ |
| 50 - 99 | 0.54€ | 0.66€ |
| 100 - 249 | 0.53€ | 0.65€ |
| 250+ | 0.50€ | 0.62€ |
| Quantidade | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.65€ | 0.80€ |
| 5 - 9 | 0.62€ | 0.76€ |
| 10 - 24 | 0.59€ | 0.73€ |
| 25 - 49 | 0.56€ | 0.69€ |
| 50 - 99 | 0.54€ | 0.66€ |
| 100 - 249 | 0.53€ | 0.65€ |
| 250+ | 0.50€ | 0.62€ |
Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!
2SC2632. RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D17/C. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 150V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.75W. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.
Produtos equivalentes :
2SC2911
Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Velocidade de comutação rápida. Ganho má...
Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Velocidade de comutação rápida. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 0.14A. Ic(pulso): 0.2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1209. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Velocidade de comutação rápida. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 0.14A. Ic(pulso): 0.2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1209. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SC2910
RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. N...
RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2SC2910. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 180V/160V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 70mA. Frequência de corte ft [MHz]: 400. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.08V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 70mA. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): 140mA. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1208
RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2SC2910. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 180V/160V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 70mA. Frequência de corte ft [MHz]: 400. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.08V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 70mA. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): 140mA. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1208
KSC2310-Y
Custo): 3.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo ...
Custo): 3.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Corrente do coletor: 0.05A. Marcação na caixa: C2310 Y. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: NINCS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92L (9mm magas). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
Custo): 3.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Corrente do coletor: 0.05A. Marcação na caixa: C2310 Y. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: NINCS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92L (9mm magas). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
Informações e ajuda técnica
Pagamento e entrega
Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!
Todos os direitos reservados, RPtronics, 2024.