Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SC2910

2SC2910
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2SC2910. RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2SC2910. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 180V/160V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 70mA. Frequência de corte ft [MHz]: 400. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.08V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 70mA. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): 140mA. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1208. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.

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Custo): 1.7pF. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 0.1A. Ic(pulso): 0.2A. Marcação na caixa: C3467. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): SC-51 ( MP ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: 9mm de altura. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Função: Video, Hi-def. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Custo): 1.7pF. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 0.1A. Ic(pulso): 0.2A. Marcação na caixa: C3467. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): SC-51 ( MP ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: 9mm de altura. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Função: Video, Hi-def. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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BF421

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Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 50mA. Ic...
BF421
Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 830mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BF420 . Diodo CE: sim
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2SC2705

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Custo): 1.8pF. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função...
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Custo): 1.8pF. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 80. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 800mA. Marcação na caixa: C2705. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Nota: 9mm. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1145. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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