Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SC2240BL

2SC2240BL
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2SC2240BL. Custo): 3pF. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Baixo ruído, amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 700. Ganho mínimo de hFE: 350. Corrente do coletor: 0.1A. Marcação na caixa: C2240BL. Temperatura: +125°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA970BL. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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Custo): 3pF. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 0.1A. Marcação na caixa: C224GR. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA970GR. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Custo): 3pF. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 0.1A. Marcação na caixa: C224GR. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA970GR. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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