2SC2673
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.78€ | 0.96€ |
| 10 - 10 | 0.56€ | 0.69€ |
| Quantidade | U.P | |
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2SC2673. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 08:25.
Produtos equivalentes :
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C (pol.): 50pF. Custo): 7pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
C (pol.): 50pF. Custo): 7pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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