Transistores

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 55V/50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/35V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 7 MHz. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V/40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V/40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Custo): 3.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Ganho máximo de hFE: 560. Ganho mínimo de hFE: 120. Corrente do coletor: 0.15A. Marcação na caixa: C1710. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92S ( SPT SC-72 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220C. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 15W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V/20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-18. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 70V/50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V

Condicionamento: rolo. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Corrente do coletor: 0.15A. Marcação na caixa: C1815Y. Número de terminais: 3. Temperatura: +120°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1015Y . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 1200. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 0.05A. Marcação na caixa: C1841. Número de terminais: 3. Temperatura: +125°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+125°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.07V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V/50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 110 MHz. Função: Amplificador de áudio HI-FI. Ganho máximo de hFE: 580. Ganho mínimo de hFE: 150. Corrente do coletor: 50mA. Marcação na caixa: C1845. Equivalentes: KSC1845. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.07V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Samsung--0501-000354. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 20pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 340. Ganho mínimo de hFE: 85. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo plano epitaxial . Habitação (conforme ficha técnica): TO-126B-A1. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2SC1875. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 500V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3.5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: C1881. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3A. Dissipação máxima Ptot [W]: 30W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Custo): 3pF. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: Saída de vídeo. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 0.05A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tripla Difusão . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 250V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Vebo: 5V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 45 MHz. Corrente do coletor: 0.5A. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Material semicondutor: silício. FT: 470 MHz. Função: UHF-L. Corrente do coletor: 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 8W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. FT: 175 MHz. Função: VHF-Tr/E. Corrente do coletor: 0.6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1