Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

2SC1841

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2SC1841. Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 1200. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 0.05A. Marcação na caixa: C1841. Número de terminais: 3. Temperatura: +125°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+125°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.07V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 110 MHz. Função: Amplificador de áudio HI-FI. Ganho máximo de hFE: 580. Ganho mínimo de hFE: 150. Corrente do coletor: 50mA. Marcação na caixa: C1845. Equivalentes: KSC1845. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.07V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Samsung--0501-000354. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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