2SC1846

2SC1846. Custo): 20pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 340. Ganho mínimo de hFE: 85. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo plano epitaxial . Habitação (conforme ficha técnica): TO-126B-A1. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.