Transistores

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-1. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.125W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: GE. Corrente do coletor: 0.15A. Nota: >30. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 35V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 10W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8 MHz. Corrente do coletor: 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M17/J. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 90V/80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 10W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M17/J. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. Dissipação máxima Ptot [W]: 10W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V/15V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D17/C. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.9W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 350 MHz. Função: hFE 120...240. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD468

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Carcaça: SC-71. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D8/C. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: B647. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD667. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tipo de transistor: PNP. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 27pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1.5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD669A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 55. Corrente do coletor: 8A. Marcação na caixa: B668. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD718

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 7 MHz. Corrente do coletor: 7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 170V

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V/60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 7A. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W

Custo): 2.7pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Ganho máximo de hFE: 460. Ganho mínimo de hFE: 160. Corrente do coletor: 0.1A. Ic(pulso): 0.2A. Marcação na caixa: AQ. RoHS: NINCS. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): MINI MOLD. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 25V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD601. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D8/C. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 35V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D17/C. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V/50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.9W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD882. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3PN. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1047. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistor B: 10. Resistor BE: 47. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 70V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1133

Resistor B: 10. Resistor BE: 47. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Transistor PNP . Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 2A. Ic(pulso): 5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1138. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS