Transistores

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D35/B. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V/15V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 5W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 0.05A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.15W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Marcação do fabricante: silício. Frequência de corte ft [MHz]: 0.03A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): PNP. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): 30 v

Resistor B: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): D8A/C. Diodo CE: montagem através de furo PCB. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V/35V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Dissipação máxima Ptot [W]: 5W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 90V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W

Resistor B: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-126. Diodo CE: montagem através de furo PCB. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Corrente do coletor: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 4W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 90V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: NF. Corrente do coletor: 0.05A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92L. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D18/C. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/32V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.75W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 1.5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2073. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: áudio/vídeo. Corrente do coletor: 0.05A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Spec info: 9mm de altura

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: Processo PCT. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 80. Corrente do coletor: 0.8A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2235-Y . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 4pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 700. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 0.1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Função: Baixo ruído, amplificador de áudio. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2240. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 1.5A. Ic(pulso): 3A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2275

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V/50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Corrente do coletor: 0.2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/32V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. Dissipação máxima Ptot [W]: 10W

RoHS: NINCS. Família de componentes: PNP Darlington Transistor . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 8W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M10/J. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W

Resistor BE: 47. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Corrente do coletor: 0.1A. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 140. Corrente do coletor: 2A. Nota: serigrafia/código SMD BF. Marcação na caixa: BF. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Spec info: transistor complementar (par) 2SD1623S. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 2A. Nota: serigrafia/código SMD BF. Marcação na caixa: BF. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Função: Potência média, solenóide, drivers de relé e atuador e módulos DC/DC. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1623T. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS