Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

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2SA949. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: áudio/vídeo. Corrente do coletor: 0.05A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Spec info: 9mm de altura. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 830mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BF420 . Diodo CE: sim
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Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 830mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BF420 . Diodo CE: sim
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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 80. Corrente do coletor: 50mA. Nota: 9mm. Marcação na caixa: A1145 O. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2705. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 220. Ganho mínimo de hFE: 130. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Marcação na caixa: A1123. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo de plaina epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V
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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 220. Ganho mínimo de hFE: 130. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Marcação na caixa: A1123. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo de plaina epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V
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