Transistores

Custo): 20pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 390. Ganho mínimo de hFE: 180. Corrente do coletor: 1A. Marcação na caixa: BA. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89 (SC-62). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 32V. Vebo: 5V. Spec info: SMD BA0. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 39pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126ML. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.35V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V. Função: NF/SL. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1683. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 50pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Função: NF-E-L. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo plano epitaxial . Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): SC-67. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 95pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: High-Current switching, low-sat. Corrente do coletor: 8A. Id(im): 12A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 20 ns. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1804. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 320 MHz. Função: Comutação estroboscópica de alta corrente. Corrente do coletor: 5A. Nota: hFE 140...280. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Spec info: TO-251 (I-Pak)

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: transistor de pacote isolado . Corrente do coletor: 3A. Nota: =4000. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 110V

Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 390. Ganho mínimo de hFE: 82. Corrente do coletor: 1A. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: TU2. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): ATV. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 32V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 2A. Nota: hFE 180...390. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Spec info: 2SB1240R

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Ganho máximo de hFE: 390. Ganho mínimo de hFE: 82. Corrente do coletor: 3A. Ic(pulso): 4.5A. Marcação na caixa: B1243 (RN). Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Tipo plano epitaxial . Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): ATV. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Amplificador de potência de baixa frequência. Corrente do coletor: 3A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1913

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 3A. Nota: >2000. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 12 MHz. Função: transistor de pacote isolado . Corrente do coletor: 6A. Nota: =10000. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 12 MHz. Ganho máximo de hFE: 10000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1933

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 9 MHz. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD1913

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: Ideal para saída Hi-Fi de 120 W . Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 3500. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Darlington tipo planar de difusão tripla . Tf(máx.): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TOP-3L. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: NF/L. Ganho máximo de hFE: 5000. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD2390

Transistor Darlington?: 1. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 55 MHz. Função: hFE 5000. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN ( MT-100 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD2390. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD2394

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: NF/L. Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD2401

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 65 MHz. Função: hFE 5000. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD2438. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: hFE 5000. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD2439. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: NF-L. Corrente do coletor: 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P ( SOT-93 ). Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 110V

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Corrente do coletor: 6A. Nota: >5000. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 110V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD2495

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 45 MHz. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Função: Amplificador e regulador de potência de áudio HI-FI. Spec info: transistor complementar (par) 2SD2560

Custo): 100pF. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho mínimo de hFE: 5000. Corrente do coletor: 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): MT-25 (TO220). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 110V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 110V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SD2589 . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS