Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

2SB1185

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2SB1185. Custo): 50pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Função: NF-E-L. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo plano epitaxial . Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): SC-67. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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