Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BD241C

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25 - 49 0.46€ 0.57€
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BD241C. Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Corrente do coletor: 3A. Potência: 40W. Frequência máxima: 3MHz. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 5A. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD242C. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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TIP32C

TIP32C

Custo): 160pF. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: PNP TRANS 100V 3. Data de produ...
TIP32C
Custo): 160pF. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: PNP TRANS 100V 3. Data de produção: 201448. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) TIP31C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
TIP32C
Custo): 160pF. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: PNP TRANS 100V 3. Data de produção: 201448. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) TIP31C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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BD241C-ST

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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo d...
BD241C-ST
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 3A. Ic(pulso): 5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD242C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
BD241C-ST
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 3A. Ic(pulso): 5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD242C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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