Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 100V, 3A, TO-220 - BD241C

Transistor NPN, 100V, 3A, TO-220 - BD241C
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Transistor NPN, 100V, 3A, TO-220 - BD241C. Transistor NPN, 100V, 3A, TO-220. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 40W. Frequência máxima: 3MHz. Produto original do fabricante Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 26/07/2025, 12:25.

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TIP32C

TIP32C

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (co...
TIP32C
Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. BE diodo: NINCS. Custo): 160pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: PNP TRANS 100V 3. Data de produção: 201448. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) TIP31C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP
TIP32C
Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. BE diodo: NINCS. Custo): 160pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: PNP TRANS 100V 3. Data de produção: 201448. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) TIP31C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP
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BD241C-ST

BD241C-ST

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (co...
BD241C-ST
Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD242C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.2V. Vebo: 5V
BD241C-ST
Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BD242C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.2V. Vebo: 5V
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