2SB1470

2SB1470. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: Ideal para saída Hi-Fi de 120 W . Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 3500. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Darlington tipo planar de difusão tripla . Tf(máx.): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TOP-3L. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.