2SB1132

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1 - 4	0.81€	1.00€
5 - 9	0.77€	0.95€
10 - 24	0.73€	0.90€
25 - 49	0.69€	0.85€
50 - 89	0.67€	0.82€

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Conjunto de 1

2SB1132. Custo): 20pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 390. Ganho mínimo de hFE: 180. Corrente do coletor: 1A. Marcação na caixa: BA. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89 (SC-62). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 32V. Vebo: 5V. Spec info: SMD BA0. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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