Transistores

Tipo de transistor: Transistor PNP . Polaridade: PNP. Função: Amplificador de potência HI-FI. Tensão coletor-emissor VCEO: -230V. Corrente do coletor: -15A. Frequência máxima: 30 MHz

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 25 MHz. Corrente do coletor: 15A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Vebo: 5V. Função: NF-HI-FI. Spec info: transistor complementar (par) 2SC5242. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC5359

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: conversor DC-DC, fonte de alimentação TFT . Corrente do coletor: 8A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC5707

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: conversor DC-DC, fonte de alimentação TFT . Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 11A. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ). Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC5707

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 150. Corrente do coletor: 20A. Ic(pulso): 25A. Marcação na caixa: A2210. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F-3SG. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V. Função: Drivers de relé, drivers de lâmpadas, drivers de motor. Spec info: transistor complementar (par) 2SC6082. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-1. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.05W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 0.4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-98. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 35V/30V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 0.4A. Nota: hFE 70...140. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Spec info: 2SA562-O

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 0.4A. Nota: hFE 120...240. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Spec info: KTA562-Y

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-18. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V/40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W

Custo): 4.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 560. Ganho mínimo de hFE: 160. Corrente do coletor: 0.15A. Id(im): 0.4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V/60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 300mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 160 MHz. Função: Amplificador de potência de baixa frequência. Corrente do coletor: 2.5A. Nota: Silicon PNP Epitaxial. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. Spec info: transistor complementar (par)

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 55V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 35V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 0.1A. Ic(pulso): 0.5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 70V/50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. Dissipação máxima Ptot [W]: 15W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D18/C. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 1W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D35/B. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 150V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W