Transistores

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 220. Ganho mínimo de hFE: 130. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Marcação na caixa: A1123. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo de plaina epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V/55V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 15A. Marcação na caixa: A1141. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tipo de transistor: PNP. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 8W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Corrente do coletor: 0.05A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 80. Corrente do coletor: 50mA. Nota: 9mm. Marcação na caixa: A1145 O. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2705. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Função: VCE(sat) 2V max. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2706

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 35V/30V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Resistor B: 47. Resistor BE: 47. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 0.1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D6/C. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-236. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 55V/50V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 150mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Função: uso geral. Corrente do coletor: 0.05A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V

RoHS: NINCS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 150V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Comutação de alta tensão . Corrente do coletor: 0.07A. Ic(pulso): 0.14A. Nota: 9mm de altura. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): SANYO--MP. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.14V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2910

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Velocidade de comutação rápida. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 140mA. Marcação na caixa: A1209. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2911. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Custo): 40pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Corrente do coletor: 2A. Marcação na caixa: NY. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): 2-5K1A. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia / código SMD NY. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D3/B. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: HI-FI, NF-E. Corrente do coletor: 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO3P ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3182. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 35 MHz. Corrente do coletor: 15A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3263

Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 35 MHz. Função: Áudio Hi-Fi. Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 15A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tf(máx.): 1.5us. Tf(min): 0.35us. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): MT-100. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3263. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 35 MHz. Corrente do coletor: 17A. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3264. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: HIFI-NF-E. Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3280

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: HIFI-NF-E. Corrente do coletor: 15A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3281

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Corrente do coletor: 14A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3284. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: transistor de pacote isolado . Corrente do coletor: 1.5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3298. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS