Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

2SA1301

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2SA1301. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: HIFI-NF-E. Corrente do coletor: 12A. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3280. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 15:25.

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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: HIFI-NF-E. Corrente do coletor: 15A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC3281
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Custo): 360pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30MHz. Função: Amplificador de potência HI-FI. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 80. Corrente do coletor: 15A. Marcação na caixa: A1943 (O). Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC5200. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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