2SA1213Y

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1 - 9	0.62€	0.76€
10 - 24	0.59€	0.73€
25 - 49	0.56€	0.69€
50 - 71	0.53€	0.65€

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Conjunto de 1

2SA1213Y. Custo): 40pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Corrente do coletor: 2A. Marcação na caixa: NY. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): 2-5K1A. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia / código SMD NY. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 15:25.

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