Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistores

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2N5116

2N5116

Quantidade por caixa: 1. Função: P-FET S. DI (T=25°C): 6mA. Idss (máx.): 6mA. Montagem/instalaç...
2N5116
Quantidade por caixa: 1. Função: P-FET S. DI (T=25°C): 6mA. Idss (máx.): 6mA. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18
2N5116
Quantidade por caixa: 1. Função: P-FET S. DI (T=25°C): 6mA. Idss (máx.): 6mA. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18
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2N5210

2N5210

Custo): 4pF. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silí...
2N5210
Custo): 4pF. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Ganho máximo de hFE: 600. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 100mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 4.5V. Função: Pré-amplificador HI-FI de baixo ruído. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
2N5210
Custo): 4pF. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Ganho máximo de hFE: 600. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 100mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 4.5V. Função: Pré-amplificador HI-FI de baixo ruído. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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2N5401

2N5401

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuraç...
2N5401
RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N5401. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 160V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP . Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: 2N5401
2N5401
RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N5401. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 160V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP . Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: 2N5401
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C (pol.): 75pF. Custo): 15pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. ...
2N5415
C (pol.): 75pF. Custo): 15pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Vebo: 4 v. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
2N5415
C (pol.): 75pF. Custo): 15pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Vebo: 4 v. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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C (pol.): 75pF. Custo): 15pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. ...
2N5416
C (pol.): 75pF. Custo): 15pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: Comutação de alta velocidade e amplificador linear. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
2N5416
C (pol.): 75pF. Custo): 15pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: Comutação de alta velocidade e amplificador linear. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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2N5458

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C (pol.): 4.5pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: JFET. Função: Uni ...
2N5458
C (pol.): 4.5pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: JFET. Função: Uni sym. Idss (máx.): 9mA. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: transistor JFET de uso geral. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 25V. Tensão porta/fonte Vgs: 3.5V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 7V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS
2N5458
C (pol.): 4.5pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: JFET. Função: Uni sym. Idss (máx.): 9mA. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: transistor JFET de uso geral. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 25V. Tensão porta/fonte Vgs: 3.5V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 7V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS
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2N5459

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C (pol.): 2250pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 53 ns. Tipo de trans...
2N5459
C (pol.): 2250pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 53 ns. Tipo de transistor: FET. Função: Uni sym. Idss (máx.): 16mA. IDss (min): 4mA. IGF: 10mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 4mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: transistor JFET de uso geral. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 25V. Tensão porta/fonte Vgs: 4.5V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 8V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS
2N5459
C (pol.): 2250pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 53 ns. Tipo de transistor: FET. Função: Uni sym. Idss (máx.): 16mA. IDss (min): 4mA. IGF: 10mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 4mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: transistor JFET de uso geral. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 25V. Tensão porta/fonte Vgs: 4.5V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 8V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS
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2N5484

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C (pol.): 5pF. Custo): 2pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: JFET. Ids...
2N5484
C (pol.): 5pF. Custo): 2pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: JFET. Idss (máx.): 5mA. IDss (min): 1mA. IGF: 10mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: J-FET. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 25V. Vgs(th) mín.: 3V. Função: VHF/UHF, amplificador RF
2N5484
C (pol.): 5pF. Custo): 2pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: JFET. Idss (máx.): 5mA. IDss (min): 1mA. IGF: 10mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: J-FET. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 25V. Vgs(th) mín.: 3V. Função: VHF/UHF, amplificador RF
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(1.20€ sem IVA)
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2N5551

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RoHS: sim. Carcaça: TO-92. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-92. Custo): 6pF...
2N5551
RoHS: sim. Carcaça: TO-92. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-92. Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 80. Corrente do coletor: 0.6A. Ic(pulso): +150°C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
2N5551
RoHS: sim. Carcaça: TO-92. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-92. Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 80. Corrente do coletor: 0.6A. Ic(pulso): +150°C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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1.24€
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2N5551BU

2N5551BU

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. N...
2N5551BU
RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 5551. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 160V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN
2N5551BU
RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 5551. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 160V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN
Conjunto de 1
0.30€ IVA incl.
(0.24€ sem IVA)
0.30€
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2N5884

2N5884

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Ganho máximo de hFE: 100. Ganh...
2N5884
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 25A. Ic(pulso): 50A. Número de terminais: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2N5886
2N5884
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 25A. Ic(pulso): 50A. Número de terminais: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2N5886
Conjunto de 1
6.96€ IVA incl.
(5.66€ sem IVA)
6.96€
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2N5886

2N5886

Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Ganho máximo de...
2N5886
Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 25A. Ic(pulso): 50A. Número de terminais: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2N5884. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
2N5886
Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 25A. Ic(pulso): 50A. Número de terminais: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2N5884. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
Conjunto de 1
9.62€ IVA incl.
(7.82€ sem IVA)
9.62€
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2N5886G

2N5886G

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuraçã...
2N5886G
RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N5886G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25mA. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C. Família de componentes: transistor de potência NPN
2N5886G
RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N5886G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25mA. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C. Família de componentes: transistor de potência NPN
Conjunto de 1
20.14€ IVA incl.
(16.37€ sem IVA)
20.14€
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2N6027

2N6027

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: PUT.. Número de terminais: 3. P...
2N6027
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: PUT.. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -50...+100°C. Spec info: Transistor Unijunção Programável
2N6027
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: PUT.. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -50...+100°C. Spec info: Transistor Unijunção Programável
Conjunto de 1
1.00€ IVA incl.
(0.81€ sem IVA)
1.00€
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2N6027G

2N6027G

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor Bipolar, Camada Única (PUT). Carcaça: soldagem PCB....
2N6027G
RoHS: sim. Família de componentes: Transistor Bipolar, Camada Única (PUT). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N6027G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 150mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C
2N6027G
RoHS: sim. Família de componentes: Transistor Bipolar, Camada Única (PUT). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N6027G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 150mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C
Conjunto de 1
1.45€ IVA incl.
(1.18€ sem IVA)
1.45€
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2N6027G-TO92

2N6027G-TO92

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: PUT.. Número de terminais: 3. P...
2N6027G-TO92
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: PUT.. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -50...+100°C. Spec info: Transistor Unijunção Programável
2N6027G-TO92
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: PUT.. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -50...+100°C. Spec info: Transistor Unijunção Programável
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2N6028

2N6028

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: PUT.. Número de terminais: 3. P...
2N6028
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: PUT.. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -50...+100°C. Spec info: Transistor Unijunção Programável
2N6028
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: PUT.. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -50...+100°C. Spec info: Transistor Unijunção Programável
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RoHS: sim. Família de componentes: Transistor Bipolar, Camada Única (PUT). Carcaça: soldagem PCB....
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RoHS: sim. Família de componentes: Transistor Bipolar, Camada Única (PUT). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N6028G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 150mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C
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RoHS: sim. Família de componentes: Transistor Bipolar, Camada Única (PUT). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N6028G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 150mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C
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Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho mínimo...
2N6059
Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho mínimo de hFE: 750. Corrente do coletor: 12A. Nota: b>750. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V
2N6059
Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho mínimo de hFE: 750. Corrente do coletor: 12A. Nota: b>750. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V
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2N6080

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 175 MHz. Função: VHF-O Tr. Corrente ...
2N6080
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 175 MHz. Função: VHF-O Tr. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 12W. Habitação (conforme ficha técnica): M135. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 36V. Spec info: SD1012. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
2N6080
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 175 MHz. Função: VHF-O Tr. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 12W. Habitação (conforme ficha técnica): M135. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 36V. Spec info: SD1012. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Corrente do coletor: 7A. Nota:...
2N6109
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Corrente do coletor: 7A. Nota: hFE 20. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Spec info: TO-220AB
2N6109
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Corrente do coletor: 7A. Nota: hFE 20. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Spec info: TO-220AB
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2N6211

2N6211

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Corrente do coletor: 2A. Pd (d...
2N6211
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Corrente do coletor: 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 275V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 225V
2N6211
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Corrente do coletor: 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 275V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 225V
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2N6284

2N6284

Resistor BE: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Custo): 400pF. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por ...
2N6284
Resistor BE: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Custo): 400pF. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: hFE 750...180000. Ganho máximo de hFE: 18000. Ganho mínimo de hFE: 750. Corrente do coletor: 20A. Ic(pulso): 40A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Peso: 11.8g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2N6287. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
2N6284
Resistor BE: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Custo): 400pF. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: hFE 750...180000. Ganho máximo de hFE: 18000. Ganho mínimo de hFE: 750. Corrente do coletor: 20A. Ic(pulso): 40A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Peso: 11.8g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2N6287. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
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2N6287G

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Carcaça: soldagem PCB. ...
2N6287G
RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N6287G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20A. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C
2N6287G
RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N6287G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20A. Dissipação máxima Ptot [W]: 160W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C
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2N6468

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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 5 MHz. Ganho máximo de hFE: 150. Ganh...
2N6468
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 5 MHz. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-66. Habitação (conforme ficha técnica): TO-66. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 130V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V
2N6468
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 5 MHz. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-66. Habitação (conforme ficha técnica): TO-66. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 130V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V
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