2N6468

2N6468. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 5 MHz. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-66. Habitação (conforme ficha técnica): TO-66. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 130V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 13:25.