Transistores

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: S/VID. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor NPN planar epitaxial . Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 450V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Vebo: 7V

Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: S/VID. Data de produção: 2014/06. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Vebo: 7V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.8 MHz. Corrente do coletor: 10A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 117W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.8 MHz. Corrente do coletor: 10A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 117W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: S-L. Corrente do coletor: 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 250V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 175V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: NF-S. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.2 MHz. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 30A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 5V

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N3772. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20A. Frequência de corte ft [MHz]: 200kHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C. Família de componentes: transistor de potência NPN . Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.2 MHz. Corrente do coletor: 16A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.2 MHz. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 16A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 4 v. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N3773G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 140V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 16A. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: JFET. Função: Amplificador VHF/RF. DI (T=25°C): 20mA. Número de terminais: 3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Epitaxial. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N3820. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -20V. Corrente de drenagem Idss [A] @ Ug=0V: -15mA. Tensão de ponto de interrupção da porta-fonte Ugss [V] @ Uds=0V: +8V @ -10V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.36W. Família de componentes: Transistor JFET de canal P. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): JFET. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 8V

C (pol.): 8pF. Custo): 4pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: Transistor de comutação. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Construção de matriz planar epitaxial . Tf(máx.): 75 ns. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 5V. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Carcaça: TO-92. Marcação do fabricante: 2N3904. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 40V. Corrente do coletor: 0.2A. Potência: 0.625W. Frequência máxima: 300MHz. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Carcaça: TO-92. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-92. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Si-Epitaxial. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92Ammo-Pack. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N3906. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. Frequência de corte ft [MHz]: 250 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP

Custo): 20pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150...500 MHz. Função: S. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 75. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 350 ns. Tf(min): 100 ns. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39 ( TO-5 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

C (pol.): 30pF. Custo): 6.5pF. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 0.6A. Ic(pulso): 0.9A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 30 ns. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: TO-92. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): 30pF. Custo): 8.5pF. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 0.6A. Ic(pulso): +150°C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 30 ns. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92Ammo Pack. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.75V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

C (pol.): 30pF. Custo): 8.5pF. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 0.6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 30 ns. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo de transistor: Transistor PNP . Polaridade: PNP. Tensão coletor-emissor VCEO: -50V. Corrente do coletor: -50mA. Frequência máxima: 40 MHz. Carcaça: TO-92

Custo): 4pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 250. Corrente do coletor: 50mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 3V. Função: pré-amplificador. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

C (pol.): 10pF. Custo): 4pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Ganho máximo de hFE: 900. Ganho mínimo de hFE: 300. Corrente do coletor: 100mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 35V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Função: Pré-amplificador HI-FI de baixo ruído. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1.2GHz. Ganho máximo de hFE: 210. Ganho mínimo de hFE: 70. Corrente do coletor: 0.4A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Vebo: 3V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS