Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2N3773-ONS

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2N3773-ONS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.2 MHz. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 16A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 4 v. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 12:25.

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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.2 MHz. Corrente do coletor: 16A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V
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