2N3439

2N3439. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: S/VID. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 1A. Número de terminais: 3. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor NPN planar epitaxial . Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 450V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Vebo: 7V. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 12:25.