2N5109

Quantidade	sem IVA	IVA incl.
1 - 1	6.58€	8.09€
2 - 2	6.25€	7.69€
3 - 4	5.92€	7.28€
5 - 9	5.59€	6.88€
10 - 19	5.46€	6.72€
20 - 23	5.33€	6.56€

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Conjunto de 1

2N5109. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1.2GHz. Ganho máximo de hFE: 210. Ganho mínimo de hFE: 70. Corrente do coletor: 0.4A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Vebo: 3V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 12:25.

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