Transistores

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 5 MHz. Função: Aplicações de amplificadores e comutação. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 15A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+165°C. Vcbo: 90V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2N6491. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 5 MHz. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 90V. Spec info: transistor complementar (par) 2N6491

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N6488G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15mA. Frequência de corte ft [MHz]: 5 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.075W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 5 MHz. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 15A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2N6488

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 5 MHz. Corrente do coletor: 15A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 90V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2N6488

Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício epitaxial NPN. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2N6520. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Carcaça: TO-92. Resistor B: Transistor de Potência . Resistor BE: -350V. C (pol.): 100pF. Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2N6517. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-46. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N6550. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 20V. Corrente de drenagem Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. Tensão de ponto de interrupção da porta-fonte Ugss [V] @ Uds=0V: -3V @ +10V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W. Família de componentes: Transistor JFET de canal N. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +125°C

C (pol.): 60pF. Custo): 25pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 0.5A. DI (T=25°C): 0.2A. Idss (máx.): 1000uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 2n7000. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. On-resistência Rds On: 5 Ohms. Peso: 0.18g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 10 ns. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): O-92Ammo-Pack. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 60pF. Custo): 25pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 0.5A. DI (T=25°C): 0.2A. Idss (máx.): 1000uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 2n7000. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. On-resistência Rds On: 5 Ohms. Peso: 0.18g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 10 ns. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. C (pol.): 50pF. Custo): 25pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de pequeno sinal. Id(im): 0.8A. DI (T=100°C): 0.075A. DI (T=25°C): 0.115A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 702. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. On-resistência Rds On: 7.5 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: 702. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: K72. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.210A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 2.8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 7.6 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 50pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.37W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 22pF. Custo): 11pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 2. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 0.8A. DI (T=100°C): 0.14A. DI (T=25°C): 0.23A. Idss (máx.): 500uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: K72. Número de terminais: 6. Pd (dissipação de energia, máx.): 400mW. On-resistência Rds On: 3.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 11 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento MOSFET . Carcaça: SOT-363 ( SC-88 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Controle de motor, gerenciamento de energia. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 72. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.115A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.05A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 20 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 50pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 580pF. Custo): 86pF. Tipo de canal: N. Função: Driver de exibição de plasma. Corrente do coletor: 30A. Ic(pulso): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 87 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220D-A1. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.5V. Spec info: High speed hall time--tf=200nS(typ). Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 1200pF. Custo): 125pF. Tipo de canal: N. Função: VGE(th) VCE=10V, IC=1mA 3.0V...5.5V. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 230A. Ic(T=100°C): 40A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 75 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220D-A1. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.95V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 540V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.5V. Spec info: High-speed switching--tf=185ns (typ). Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: S-L, Low-sat. Corrente do coletor: 5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2562

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: CTV-NF/VA. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 1A. Marcação na caixa: A1013. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2383. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: CTV-NF/VA. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 160. Corrente do coletor: 1A. Marcação na caixa: A1013-Y. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2383. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 4pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 0.15A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92, 2-5F1B. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+125°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC1162. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 4pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: hFE.120-240. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Corrente do coletor: 0.15A. Marcação na caixa: 1015 Y. Número de terminais: 3. Temperatura: +125°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -...+125°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC1815Y. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: RM-60. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 12A. Dissipação máxima Ptot [W]: 120W

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Spec info: transistor complementar (par) 2SC2581

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 200V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 17A. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Marcação do fabricante: silício. Frequência de corte ft [MHz]: 17A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): PNP. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): 200V

RoHS: NINCS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2SA1120. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 35V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. Frequência de corte ft [MHz]: 170 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: Transistor PNP