Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2N6520

2N6520
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1 - 1 0.44€ 0.54€
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Conjunto de 10

2N6520. Carcaça: TO-92. Resistor B: Transistor de Potência . Resistor BE: -350V. C (pol.): 100pF. Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2N6517. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 14:25.

Documentação técnica

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Custo): 1.6pF. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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