Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BF422

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BF422. Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Spec info: transistor complementar (par) BF423. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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Custo): 3pF. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 0.5A. Equivalentes: KSP42. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 (ammo pak). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 500mV. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) MPSA92. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 500mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 800mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BF421. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 500mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 800mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BF421. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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