2N6517

Quantidade	sem IVA	IVA incl.
1 - 9	0.26€	0.32€
10 - 24	0.25€	0.31€
25 - 49	0.23€	0.28€
50 - 99	0.22€	0.27€
100 - 249	0.21€	0.26€
250 - 345	0.18€	0.22€

Quantidade	U.P
1 - 9	0.26€	0.32€
10 - 24	0.25€	0.31€
25 - 49	0.23€	0.28€
50 - 99	0.22€	0.27€
100 - 249	0.21€	0.26€
250 - 345	0.18€	0.22€

Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!

Quantidade em estoque : 345

Conjunto de 1

2N6517. Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício epitaxial NPN. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2N6520. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 14:25.

Documentação técnica

Informações e ajuda técnica

Pelo telefone :

Por email

Termos de Vendas

Pagamento e entrega

Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!